一. 简介
MOS管（也称场效应管），是MOSFET的缩写。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。
场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。
JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。
MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，应用广泛，MOSFET一般称MOS管。MOSFET有增强型和耗尽型两大类，增强型和耗尽型每一类下面都有NMOS和PMOS。增强型MOS管的英文为Enhancement MOS或者EMOS，耗尽型MOS管的英文为Depletion MOS或者DMOS。
一般PCB上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。所以，在实际应用中，应用最多的是增强型NMOS管,其次是增强型PMOS管。
二.基础
如下中间衬底箭头指向G极的为NMOS，箭头背向G极的为PMOS。
栅极G(gate)，单独在一边的。
源极S(source)，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。
漏极D(drain)，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的。
由于生产工艺，一般的MOS管会有一个寄生二极管，也叫体二极管。可以看出NMOS和PMOS寄生二极管方向不一样，NMOS是由S极→D极，PMOS是由D极→S极。中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的。
NMOS：D极接输入，S极接输出 。如果接反，电流就会从寄生二极管流走无法控制。
PMOS：S极接输入，D极接输出 。如果接反，电流就会从寄生二极管流走无法控制。
对NMOS来说，Vg-Vs>Vgs(th)，即G极和S极的压差大于一定值，MOS管会导通，就是NMOS高电平导通。
对PMOS来说，Vs-Vg>Vgs(th)，即S极和G极的压差大于一定值，MOS管会导通，就是PMOS低电平导通。
三.上管和下管
N管常做下管(低端驱动), 因为S极直接接地固定电压时, G极和S极之间的压差容易控制. 而当S极电压不固定时, 栅源电压较难确定, 电路比较麻烦。
PMOS 一般做上管(高端驱动). 同理, 用S极接VCC 电压固定, 这时G极电压容易计算及控制, 反之, 用S极接负载, S极电压不能稳定, G极电压就更难确定, 电路上也比较麻烦.
四.NMOS电路
下图是常用的NMOS下管电路。R(GS)为泄放电阻，通常取值10K。R(IN)通常取1K~4.7K。
泄放电阻用来泄放GS极间的电荷。加它的原因是因为MOS的GS极间的阻值非常高，通常为M欧以上，并且GS间还有结电容，这就导致GS一旦充电，就很难释放掉。如果没有这个泄放电阻，在G极通入高电平，负载会工作，而将G极上的控制信号拿开，由于结电容的存在，GS间的电压会维持在导通阀值以上很长一段时间，负载仍会继续工作。而加了泄放电阻，会加快泄放速度，使电路功能更加合理易用。
五.MOS管重要参数
①封装
②类型（NMOS、PMOS）
③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压）
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)
六.MOS管和三极管的区别
三极管是电流控制，MOS管是电压控制，主要有如下的区别：
1，只容许从信号源取少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。
2，MOS管是单极性器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
3，有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
4，MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。
5，MOS管输入阻抗大，低噪声，MOS管较贵，三极管的损耗大。
6，MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关控制。
